作ؓU重仪表Q首先必L量精度的要求,Q而作为工业应用场合,特别?a href="http://www.kalponic.com/supply/203.html" target="_blank">云南电子汽R?/a>?a href="http://www.kalponic.com/yb/" target="_blank">仪表要能适应现场的各U恶劣环境,为此Q特提出以下q些技术参敎ͼ作ؓ后箋设计探讨的基本依据?
⑴静态准度Q?OIML III U?
⑵动态准度Q优??
?A/D速率Q≥100?U,A/D分辩率:?8?
⑷工作温度:-20℃~85?
⑸相Ҏ度:?9%RH
⑹工作电源:AC85V?64VQ功率≤20W
⑺EMC性能 Q优?
L展模块:可靠、方?
云南电子汽R?/span>技术特别是数模混合集成技术的飞速发展,为工业称重A表硬件电路低成本化设计上提供了条件。有x型I2C存贮器及旉器g、新型?ΔA/D、新型RISCl构的微处理器可以大大简化电路,极大提高了电路性能Q在实际设计中应来广泛被采用?
(一) 基本功能模块的优?
基本功能模块是A表组成的核心部分Q直接决定了仪表性能的好坏及成本的高?而其中关键的器g该是MCU莫属了,MCU卛_片微处理器,是智能化仪表的大脑和心脏。根据MCU的不同选择Q目前市Z的称重A表的基本功能电\可概括ؓ以下几种l合模式Q?
模式AQAMP+A/D+MCU+扩展RAM+ 扩展EPROM+扩展I/O+ E2PROM+键盘+昄驱动?WDT
分析Q典型芯片有8031/8039/80C49/8751{。属早期MCU芯片Q很多功能在外部扩展QMCU芯片及其扩展芯片已渐渐被市场淘汰Q芯片集成商为应付早期品只在少量生产,故芯片h格相当昂?该组合模式品的E_性及抗干扰性能也很差,产品难以通过EMC试?
模式BQAMP+A/D+MCU+ E2PROM+键盘+昄驱动?WDT
分析QMCU典型芯片有AT89C5Xpd、W78E5X{,片内hFLASHE序存贮器?
׃该系列MCU无WDT功能Q设计时要在外部护展Q因而增加了一定的g成本Q同时该pdMCU的I/O口无EMI/EMS处理措施Q给产品可靠性留下隐患。优势是与模式A相比其性h比有所提高Q目前称重控制A采用该模式仍比较q泛?
模式CQA/D+MCU+昄/键盘
分析QMCU典型芯片有STC89XXpd、AVRpd{,该系列MCU内部集成了E2PROM?
WDT功能QI/O口有EMC措施Q且h不比模式B用MCUc因此A表可靠性及g成本均得到极大改善?
模式DQMCU+ E2PROM+昄/键盘
分析QMCUAMP、A/D及微处理器集成在一块芯片内Q属混合信号MCUQ代表芯片有AD公司的Adu8XXQTI公司的MSC121XQSILICON
LAB公司的C8051F35X,{。该模式更加化电路,在小型化、节甉|本安应用中不׃ؓ一U好的选择Ҏ?
A/D选型Q?
U重仪表用的A/D转换cd主要有:双积分型、三U分型、?Δ?双积分及三积分由于受A/D转换速度限制Q一般在工业动态称重场合很被采用;目前Q市Z大多仪表均采用?Δ型A/D转换Q特ҎA/D分辩率高Q线性好QA/D转换速度又能满工业动态称重的需求。目前市Z型A/D器g低中高均有供货。徏议控制A表可选内带PGA的中?Δ型A/D芯片Q?span>云南电子汽R?/span>比较l济和实用?
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